An de leschte Joerzéngte hunn den Implantatdesign an d'Ingenieurfuerschung vun Zännimplantate grousse Fortschrëtter gemaach. Dës Entwécklungen hunn den Erfolleg vun Zännimplantater méi wéi 95% fir méi wéi 10 Joer gemaach. Dofir ass Implantatioun Implantatioun eng ganz erfollegräich Method ginn fir Zännverloscht ze reparéieren. Mat der breet Entwécklung vun Zännimplantater op der Welt, bezuelen d'Leit ëmmer méi Opmierksamkeet op d'Verbesserung vun Implantatimplantatioun an Ënnerhaltmethoden. Am Moment ass et bewisen datt Laser eng aktiv Roll bei der Implantatioun vun der Implantatioun, der Protheseinstallatioun an der Infektiounskontroll vu Stoffer ronderëm Implantater spille kann. Verschidde Wellelängte Laser hunn eenzegaarteg Charakteristiken, déi Dokteren hëllefen den Effekt vun der Implantatbehandlung ze verbesseren an d'Erfahrung vu Patienten ze verbesseren.
Diode Laser assistéiert Implantattherapie kann intraoperative Blutungen reduzéieren, e gutt chirurgescht Feld ubidden an d'Längt vun der Operatioun reduzéieren. Zur selwechter Zäit kann de Laser och e gutt sterilt Ëmfeld während an no der Operatioun erstellen, wat d'Heefegkeet vu postoperative Komplikatiounen an Infektiounen wesentlech reduzéiert.
Allgemeng Wellelängte vum Diodelaser enthalen 810nm, 940nm,9 80nman 1064nm. D'Energie vun dëse Laser zielt haaptsächlech Pigmenter, wéi Hämoglobin a Melaninmëll Stoffer. D'Energie vum Diodelaser gëtt haaptsächlech duerch optesch Faser iwwerdroen an handelt am Kontaktmodus. Wärend der Operatioun vum Laser kann d'Temperatur vum Glasfasertipp 500 ℃ ~ 800 ℃ erreechen. Hëtzt kann effektiv an d'Tissue transferéiert ginn a geschnidden ginn andeems de Tissu verdampft. Den Tissu ass am direkte Kontakt mat der Hëtzt generéierend Aarbechtsspëtzt, an de Verdampfungseffekt geschitt amplaz d'optesch Charakteristike vum Laser selwer ze benotzen. Den 980 nm Wellelängt Diode Laser huet méi héich Absorptiounseffizienz fir Waasser wéi den 810 nm Wellelängt Laser. Dës Fonktioun mécht 980nm Diode Laser méi sécher an effektiv an Planzung Uwendungen. D'Absorptioun vun der Liichtwelle ass dee wënschenswäertste Lasergewebe Interaktiounseffekt; Wat besser d'Energie vum Tissu absorbéiert ass, wat manner den Ëmgéigend thermesche Schued dem Implantat verursaacht gëtt. D'Fuerschung vum Romanos weist datt den 980nm Diodelaser sécher no bei der Implantatfläch benotzt ka ginn, och bei enger méi héijer Energieastellung. Studien hunn bestätegt datt 810nm Diode Laser d'Temperatur vun der Implantatfläch méi wesentlech erhéijen kann. De Romanos huet och gemellt datt 810nm Laser d'Uewerflächestruktur vun Implantate beschiedegt huet. 940nm Diode Laser gouf net an der Implantattherapie benotzt. Baséierend op den Ziler, déi an dësem Kapitel diskutéiert ginn, ass 980nm Diodelaser deen eenzegen Diodelaser dee fir d'Applikatioun an der Implantattherapie berücksichtegt ka ginn.
An engem Wuert, 980nm Diode Laser ka sécher an e puer Implantatbehandlungen benotzt ginn, awer seng Schneiddéift, Schneidgeschwindegkeet a Schneideffizienz si limitéiert. Den Haaptvirdeel vum Diodelaser ass seng kleng Gréisst a niddere Präis a Käschten.
Post Zäit: Mee-10-2023