Am leschten de leschte Joerzéngte, ass den leschten de Geplangten Artikel a fannen Esetzel Fuerschung vun de montéierten Formand zesummefaassung Dës Entwécklungen hunn d'Konstruktioun vun de Moment richteg gemaach hunn wéi 95% fir méi wéi 10 Joer gutt gemaach. Dofir, implant Implantatéierung ass eng ganz erfollegräich Method ginn fir Zännverloscht ze reparéieren. Mat der breet Entwécklung vun deal Hormantstëft op der Welt, d'Leit bezuelen méi a méi opfalen op d'Verbesserungsmatch vun implant Implanture. Op jidde Fall, dat beweisen kann de Konger e aktivt Roll an Implantant Implantanture ginn. Virderlech Wellchenten, déi Dreneflex7 hunn eenzegaarteg Charakteristike déi den Offektreit vun Patienten verbesseren an déi Effekt vun de méi nëtzleche Behäler verbesseren a sech verbesseren.
Diood Lexer assistéiert Implantier Therapie méiglech ze reduzéieren, kënnt Dir e gudde chirurgesch Inhalt vum Chirurgie reduzéieren. Wann de Lagarer och e gutt sernperiuffer passen an an huet op d'Operatioun gestallt, wesentlech d'Heefoläntweren an In Woch méiglech.
Gemeinsam Wellelängt vum Diode Laser enthalen 810nm, 940nm,980nman 1064nm. D'Energie vun dësen Laser zielt haaptsächlech Pigmenter, wéi Hemoglobin a Melanin anmëllen TissuëAn. D'Energie vum Diode Laser gëtt haaptsächlech duerch optesch Faser an Akte am Kontaktmodus iwwerdroen. Wärend der Operatioun vum Laser, d'Temperatur vum Fibrave kann 500 ℃ ~ 800 ℃ erreechen. Hëtzt kann effektiv an d'Tissu transferéieren an duerch Vapotoring den Tissuzugel. Den Tissu ass am direkte Kontakt mat der Hëtzt erlieft Bestätegung, an d'Dampence Effekteptéierungen anstatt déi optesch Charakteristike vum Laser selwer ze benotzen. Déi 980 NM Wellelängt DioDe Laser huet méi héich absorbéis Effizienz fir Waasser wéi déi 810 nm Wellelängt. Dës Feature mécht 980nm Diode Laser méi sécher an effektiv an der Planzungsapparatiounen. D'Absorptioun vu Liichtwelle ass dat wënschenswäert Laser Tissuction Interaktioun Effekt; Wat besser d'Energie absopéiert duerch den Tempel, dee manner den Ëmfeld vum Ëmfeld an der Impropumentatioun verursaacht huet. Hien ass Fuercher, déi gewisen dass den 9800. Dioye Dioye kann och op d'méi héijer Energielage benotzt. Studien hunn bestätegt datt 810nm Diode Laser d'Temperatur vun der implantescher Uewerfläch méi vill erhéijen. Romanos hunn och gemellt och datt 810nm Laser d'Uewerflächt Struktur vun den Implantate beschiedegt huet. 944nm Diode Laser gouf net an implizale Therapie benotzt. Nei mam Objektiven huet an dësem Kapitel 980erm Dioader diskutéiert.
Am Wuert ass 9800.00.00.00.00. Dayadase souwéi sécher an ugewandt Hëtztfäegkeeten an d'Weisen ginn. De Haaptvirdeel vum Diode Laser ass seng kleng Gréisst an niddreg Präis a Käschte.
Postzäit: Mee-10-2023