An de leschte Joerzéngten hunn den Implantatdesign an d'Ingenieursfuerschung vun Zännimplantater grouss Fortschrëtter gemaach. Dës Entwécklungen hunn d'Erfolgsquote vun Zännimplantater fir méi wéi 10 Joer op méi wéi 95% bruecht. Dofir ass d'Implantatimplantatioun zu enger ganz erfollegräicher Method fir Zännverloscht ze reparéieren. Mat der breeder Entwécklung vun Zännimplantater op der Welt leeë d'Leit ëmmer méi Opmierksamkeet op d'Verbesserung vun den Implantatimplantatiouns- a Wartungsmethoden. De Moment ass et bewisen, datt Laser eng aktiv Roll bei der Implantatimplantatioun, der Protheseninstallatioun an der Infektiounskontroll vum Gewief ronderëm d'Implantater spille kann. Verschidde Wellelängtelaser hunn eenzegaarteg Charakteristiken, déi den Dokteren hëllefe kënnen, den Effekt vun der Implantatbehandlung ze verbesseren an d'Erfahrung vun de Patienten ze verbesseren.
Diodelaser-assistéiert Implanttherapie kann intraoperativ Blutungen reduzéieren, e gutt chirurgescht Feld ubidden an d'Dauer vun der Operatioun verkierzen. Gläichzäiteg kann de Laser och eng gutt steril Ëmwelt während an no der Operatioun schafen, wat d'Heefegkeet vu postoperative Komplikatiounen an Infektiounen däitlech reduzéiert.
Déi üblech Wellelängte vun engem Diodenlaser sinn 810 nm, 940 nm,980nman 1064nm. D'Energie vun dëse Laser zielt haaptsächlech op Pigmenter, wéi Hämoglobin a Melanin, of.mëll GewëssD'Energie vum Diodenlaser gëtt haaptsächlech iwwer optesch Faseren iwwerdroen a wierkt am Kontaktmodus. Wärend dem Betrib vum Laser kann d'Temperatur vun der Faserspëtz 500 ℃ ~ 800 ℃ erreechen. Hëtzt kann effektiv op d'Gewief iwwerdroe ginn a geschnidden ginn andeems d'Gewief verdampft gëtt. D'Gewief ass a direkten Kontakt mat der Hëtztgeneréierender Aarbechtsspëtz, an de Verdampfungseffekt geschitt amplaz d'optesch Charakteristike vum Laser selwer ze benotzen. Den 980 nm Wellelängte-Diodenlaser huet eng méi héich Absorptiounseffizienz fir Waasser wéi de 810 nm Wellelängte-Laser. Dës Eegeschaft mécht den 980 nm Diodenlaser méi sécher an effektiv bei Planzungsapplikatiounen. D'Absorptioun vu Liichtwellen ass den erwënschtsten Effekt op d'Interaktioun vum Lasergewebe; wat besser d'Energie vum Gewief absorbéiert gëtt, wat manner den thermesche Schued um Ëmfeld um Implantat verursaacht gëtt. D'Fuerschung vum Romanos weist, datt den 980 nm Diodenlaser sécher no bei der Implantatuewerfläch ka benotzt ginn, och bei enger méi héijer Energieastellung. Studien hunn bestätegt, datt den 810 nm Diodenlaser d'Temperatur vun der Implantatuewerfläch méi däitlech erhéije kann. De Romanos huet och bericht, datt den 810 nm Laser d'Uewerflächenstruktur vun Implantater beschiedege kéint. En 940nm Diodenlaser gouf nach net an der Implanttherapie benotzt. Baséierend op den Ziler, déi an dësem Kapitel diskutéiert ginn, ass den 980nm Diodenlaser deen eenzegen Diodenlaser, deen fir d'Uwendung an der Implanttherapie berécksiichtegt ka ginn.
Kuerz gesot, kann en 980nm Diodenlaser sécher a verschiddenen Implantatbehandlungen agesat ginn, awer seng Schnëttdéift, Schnëttgeschwindegkeet a Schnëtteffizienz si limitéiert. Den Haaptvirdeel vum Diodenlaser ass seng kleng Gréisst a säi niddrege Präis.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 10. Mee 2023